微处理器高低速模式下的单粒子功能错误分析 |
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作者姓名: | 郑宏超 岳素格 董攀 陈莉明 陈茂鑫 |
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作者单位: | 北京微电子技术研究所; |
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摘 要: | 对一款国产抗辐射加固SPARC-V8微处理器进行了高低速两种模式下的单粒子试验.试验获得了单粒子功能中断的阈值和饱和错误截面,并预估了GEO轨道在轨错误率.经过比较分析,国产微处理器与国外同类产品具有相同量级的抗单粒子指标,微处理器在开CACHE的高速模式下抗单粒子能力优于低速模式约2倍.
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关 键 词: | 单粒子效应 微处理器 单粒子功能错误 单粒子翻转 |
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