| 碲镉汞器件接触孔的ICP刻蚀工艺研究 |
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| 引用本文： | 李震,胡小燕,史春伟,朱西安.碲镉汞器件接触孔的ICP刻蚀工艺研究[J].激光与红外,2008,38(12):1211-1214. |
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| 作者姓名： | 李震 胡小燕 史春伟 朱西安 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京,100015 |
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| 摘 要： | 介绍了ICP等离子体刻蚀技术的工作原理和主要工艺参数，阐述了碲镉汞器件接触孔ICP刻蚀工艺的特点和技术要求。通过一系列实验和分析，最终优化并确定了ICP刻蚀碲镉汞材料接触孔的工艺参数，获得了良好的刻蚀形貌和器件性能。
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| 关 键 词： | 接触孔 干法刻蚀 碲镉汞 低损伤 刻蚀形貌 |
A Study of MCT Contact Hole Etching by ICP Process |
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| LI Zhen,HU Xiao-yan,SHI Chun-wei,ZHU Xi-an.A Study of MCT Contact Hole Etching by ICP Process[J].Laser & Infrared,2008,38(12):1211-1214. |
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| Authors: | LI Zhen HU Xiao-yan SHI Chun-wei ZHU Xi-an |
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| Abstract: | This paper gives a brief introduction to the ICP etching process & equipment.All the parameters which influence the etching profile of contact hole are detailedly discussed.The final etching parameters are given after a series of experiments. |
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| Keywords: | ICP |
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