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| GaAs场效应微波功率器件稳态热场分析的等效结构模型 | |
| 引用本文： | 张鸿欣.GaAs场效应微波功率器件稳态热场分析的等效结构模型[J].半导体学报,1998,19(8):591-596. |
| 作者姓名： | 张鸿欣 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学电路CAD所 |
| 摘 要： | 提出了用于计算ＧａＡｓ场效应微波功率器件峰值沟道温度的等效结构模型．其中底座与芯片等截面的等效厚度处理和多胞单胞化处理，使计算工作量下降约二个数量级．计算的峰值沟道温度与修正（包括了胞内热场分布影响、胞间热场分布影响和瞬态冷却过程影响）后的电学法测量值的差别约为３℃．文中还用此模型模拟了若干工艺参数对峰值沟道温度的影响 |
| 关 键 词： | 砷化镓 场效应 微波功率器件 稳态热场分析 |
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