GaAs场效应微波功率器件稳态热场分析的等效结构模型 |
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引用本文: | 张鸿欣.GaAs场效应微波功率器件稳态热场分析的等效结构模型[J].半导体学报,1998,19(8):591-596. |
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作者姓名: | 张鸿欣 |
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作者单位: | 西安电子科技大学电路CAD所 |
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摘 要: | 提出了用于计算GaAs场效应微波功率器件峰值沟道温度的等效结构模型.其中底座与芯片等截面的等效厚度处理和多胞单胞化处理,使计算工作量下降约二个数量级.计算的峰值沟道温度与修正(包括了胞内热场分布影响、胞间热场分布影响和瞬态冷却过程影响)后的电学法测量值的差别约为3℃.文中还用此模型模拟了若干工艺参数对峰值沟道温度的影响
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关 键 词: | 砷化镓 场效应 微波功率器件 稳态热场分析 |
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