| 部分耗尽CMOS/SOI工艺 |
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| 引用本文： | 刘新宇,孙海峰,陈焕章,扈焕章,海潮和,刘忠立,和致经,吴德馨.部分耗尽CMOS/SOI工艺[J].半导体学报,2001,22(6):806-810. |
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| 作者姓名： | 刘新宇 孙海峰 陈焕章 扈焕章 海潮和 刘忠立 和致经 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心!北京100029(刘新宇，孙海峰，陈焕章，扈焕章，海潮和)，中国科学院半导体研究所!北京100083(刘忠立，和致经)，中国科学院微电子中心!北京10(吴德馨) |
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| 摘 要： | 对部分耗尽 CMOS/ SOI工艺进行了研究 ,成功地开发出成套部分耗尽 CMOS/ SOI抗辐照工艺 .其关键工艺技术包括 :PBL (Poly- Buffered L OCOS)隔离、沟道工程和双层布线等技术 .经过工艺投片 ,获得性能良好的抗辐照 CMOS/ SOI器件和电路 (包括 10 1级环振、 5 0 0 0门门海阵列和 6 4K CMOS/ SOI静态存储器 ) .其中 ,NMOS:Vt=1.2 V ,BVds=7.5— 9V ,μeff=42 5 cm2 / (V· s) ,PMOS:Vt=- 0 . 9V,BVds=14— 16 V,μeff=2 40 cm2 /(V· s) ,当工作电压为 5 V时 ,0 .8μm环振单级延迟为 10 6 ps,SOI 6 4K CMOS静态存储器数据读取时间为 40 ns
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| 关 键 词： | PBL 沟道工程 双层布线 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)06-0806-05 |
| 修稿时间： | 2000年5月25日 |
Technology of Partially Depleted CMOS/SOI |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | poly-buffered LOCOS channel engineering double-level metallization |
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