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| 用于高速电路的InP基共振隧穿二极管制作 | |
| 引用本文： | 马龙,黄应龙,张杨,王良臣,杨富华,曾一平.用于高速电路的InP基共振隧穿二极管制作[J].半导体学报,2006,27(6). |
| 作者姓名： | 马龙 黄应龙 张杨 王良臣 杨富华 曾一平 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所半导体集成技术研究中心,北京,100083 2. 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083 3. 中国科学院半导体研究所新材料实验室,北京,100083 4. 中国科学院半导体研究所半导体集成技术研究中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 在InP衬底上采用感应耦合等离子体刻蚀技术制备了高性能的AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs共振隧穿二极管.正向偏压下PVCR=7.57,Jp=39.08kA/cm2;反向偏压下PVCR=7.93,Jp=34.56kA/cm2.在未去除测试电极和引线等寄生参数影响下,面积为5μm×5μm的RTD的阻性截止频率为18.75GHz.最后对非对称的I-V特性进行了分析讨论. |
| 关 键 词： | 共振隧穿二极管 感应耦合等离子体 I-V特性 高频 |
Fabrication of an AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs Resonant Tunneling Diode on InP Substrate for High-Speed Circuit Applications |
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| Ma Long,Huang Yinglong,Zhang Yang,Wang Liangchen,Yang Fuhua,Zeng Yiping.Fabrication of an AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs Resonant Tunneling Diode on InP Substrate for High-Speed Circuit Applications[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(6). | |
| Authors: | Ma Long Huang Yinglong Zhang Yang Wang Liangchen Yang Fuhua Zeng Yiping |
| Abstract: | A high performance AlAs/In0.53 Ga0.47 As/InAs resonant tunneling diode (RTD) on InP substrate is fabricated by inductively coupled plasma etching. This RTD has a peak-to-valley current ratio (PVCR) of 7. 57 and a peak current density Jp = 39.08kA/cm2 under forward bias at room temperature. Under reverse bias, the corresponding values are 7.93 and 34.56kA/cm2 . A resistive cutoff frequency of 18.75GHz is obtained with the effect of a parasitic probe pad and wire. The slightly asymmetrical current-voltage characteristics with a nominally symmetrical structure are also discussed. |
| Keywords: | resonant tunneling diode inductively coupled plasma current-voltage characteristics high frequency |
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