| a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理 |
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| 引用本文： | 马忠元,韩培高,李伟,陈三,钱波,徐骏,徐岭,黄信凡,陈坤基,冯端.a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理[J].半导体学报,2006,27(Z1). |
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| 作者姓名： | 马忠元 韩培高 李伟 陈三 钱波 徐骏 徐岭 黄信凡 陈坤基 冯端 |
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| 作者单位： | 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)，江苏省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层发生非晶态到晶态的相变,获得尺寸可控的纳米硅nc-Si/SiO2多层膜.结合Raman谱,FTIR谱和TEM测试,对退火过程中多层膜的光致发光性质进行跟踪研究,分析了a-Si:H/SiO2多层膜在各个热处理阶段发光机理的演变,讨论了a-Si:H/SiO2多层膜晶化为nc-Si/SiO2多层膜过程中,发光机制与微结构之间的相互联系.
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| 关 键 词： | a-Si:H/SiO2多层膜 nc-Si 光致发光 |
Photoluminescence During the Crystallization of a-Si: H/SiO2 Multilayers |
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| Ma Zhongyuan,Han Peigao,Li Wei,Chen San,Qian Bo,Xu Jun,Xu Ling,Huang Xinfan,Chen Kunji,Feng Duan.Photoluminescence During the Crystallization of a-Si: H/SiO2 Multilayers[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(Z1). |
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| Authors: | Ma Zhongyuan Han Peigao Li Wei Chen San Qian Bo Xu Jun Xu Ling Huang Xinfan Chen Kunji Feng Duan |
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