| 非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性 |
| |
| 引用本文： | 张振兴,谢二庆,潘孝军,贾璐,韩卫华. 非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性[J]. 半导体学报, 2006, 27(Z1) |
| |
| 作者姓名： | 张振兴 谢二庆 潘孝军 贾璐 韩卫华 |
| |
| 作者单位： | 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 |
| |
| 摘 要： | 采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用.分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1×104cm-3和位于Ec-0.363eV的陷阱能级.测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.
|
| 关 键 词： | 非晶 GaN 空间电荷限制电流 缺陷 |
Space-Charge-Limited Current Properties of Amorphous GaN Thin Films |
| |
| Zhang Zhenxing,Xie Erqing,Pan Xiaojun,Jia Lu,Han Weihua. Space-Charge-Limited Current Properties of Amorphous GaN Thin Films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(Z1) |
| |
| Authors: | Zhang Zhenxing Xie Erqing Pan Xiaojun Jia Lu Han Weihua |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
