| 降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺 |
| |
| 引用本文： | 库黎明,王敬,周旗钢.降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺[J].半导体学报,2006,27(7). |
| |
| 作者姓名： | 库黎明 王敬 周旗钢 |
| |
| 作者单位： | 1. 北京有色金属研究总院,北京,100088
2. 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 利用原子力显微镜研究了预氧化清洗工艺对清洗后的硅片表面微粗糙的影响,并通过建立表面氧化过程的分子模型和氧化层模型来进行相应的机理分析.结果表明,硅片表面在含有氧化剂H2O2的溶液中生成一层氧化层后,能基本消除OH-对硅片表面的各向异性腐蚀,清洗后的表面微粗糙度比清洗前小,并且随SC-1清洗过程中NH4OH浓度的增大而减小.
|
| 关 键 词： | 预氧化 氧化层 各向异性腐蚀 微粗糙度 |
A Pre-Oxidation Cleaning Process to Decrease the Microroughess of Si Wafer Surfaces |
| |
| Ku Liming,Wang Jing,Zhou Qigang.A Pre-Oxidation Cleaning Process to Decrease the Microroughess of Si Wafer Surfaces[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(7). |
| |
| Authors: | Ku Liming Wang Jing Zhou Qigang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
