| PbSe缓冲层表面微结构的演化及PbTe量子点的制备 |
| |
| 引用本文： | 徐天宁,吴惠桢,斯剑霄,曹春芳,邱东江,戴宁.PbSe缓冲层表面微结构的演化及PbTe量子点的制备[J].半导体学报,2006,27(Z1). |
| |
| 作者姓名： | 徐天宁 吴惠桢 斯剑霄 曹春芳 邱东江 戴宁 |
| |
| 作者单位： | 1. 浙江大学物理系,杭州,310027
2. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 |
| |
| 摘 要： | 用分子束外延技术在BaF2衬底(111)晶面上生长了PbSe单晶薄膜,研究了不同Se/PbSe束流比(Rf)对薄膜表面形貌的影响.在无Se束流(Rf=0)下制备的PbSe薄膜表面呈现三维岛状结构.当Rf较小(例如0.2)时,样品表面呈现三角形孔状结构特征,孔的尺寸随Rf的增大而减小.当Rf较大(0.6)时,样品表面的三角形孔消失,出现单原子层厚度的螺旋结构.螺旋由台阶环构成,平面尺寸为1～3μm,表面台阶平均宽度为150nm,台阶间高度差为一个单原子层(1ML=0.354nm).PbSe薄膜表面微结构的演化是由于Se束流改变了薄膜中的应变弛豫方式,从而改变了薄膜的生长模式引起的.最后,我们在以螺旋结构为特征的PbSe缓冲层表面自组织生长了PbTe量子点,观察到两种高度分布的量子点.
|
| 关 键 词： | PbSe MBE 螺旋结构 量子点 |
Evolution of Micro-Structures on PbSe Buffer Layer and Self-Organization of PbTe QDs |
| |
| Xu Tianning,Wu Huizhen,Si Jianxiao,Cao Chunfang,Qiu Dongjiang,Dai Ning.Evolution of Micro-Structures on PbSe Buffer Layer and Self-Organization of PbTe QDs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(Z1). |
| |
| Authors: | Xu Tianning Wu Huizhen Si Jianxiao Cao Chunfang Qiu Dongjiang Dai Ning |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
