| AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触 |
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| 引用本文： | 杨燕,王文博,郝跃.AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触[J].半导体学报,2006,27(10). |
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| 作者姓名： | 杨燕 王文博 郝跃 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国防科技预研基金，国防重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 通过改变Ti/Al的结构及退火条件,研究了AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au金属体系所形成的欧姆接触.结果表明,Ti/Al/Ni/Au金属厚度分别为20,120,55和45nm,退火条件为高纯N2气氛中850℃、30s时在AlGaN/GaN异质结构上获得了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.30×10-6Ω·cm2.SEM分析表明该条件下的欧姆接触具有良好的表面形貌,可以很好地满足高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管制造的要求.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN Ti/Al/Ni/Au 欧姆接触 高电子迁移率晶体管 |
Ohmic Contact to an AlGaN/GaN Heterostructure |
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| Yang Yan,Wang Wenbo,Hao Yue.Ohmic Contact to an AlGaN/GaN Heterostructure[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(10). |
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| Authors: | Yang Yan Wang Wenbo Hao Yue |
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| Keywords: | |
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