| SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析 |
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| 引用本文： | 高勇,刘静,马丽,余明斌.SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析[J].半导体学报,2006,27(6). |
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| 作者姓名： | 高勇 刘静 马丽 余明斌 |
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| 作者单位： | 1. 西安理工大学电子工程系,西安,710048
2. 西安理工大学应用物理系,西安,710048 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，陕西省教育厅资助项目 |
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| 摘 要： | 将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)-n--n+异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上利用MEDICI模拟,对比分析了C的引入对器件各种电特性的影响.此外,还模拟比较了不同p+区厚度对器件反向漏电流的影响.结果表明:在SiGe/Si功率二极管中加入少量的C,在基本不影响器件正向I-V特性和反向恢复特性的前提下,大大减少了器件的反向漏电流,并且C的加入还减小了器件特性对材料临界厚度的依赖性,提高了器件稳定性.
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| 关 键 词： | SiGeC/Si异质结 功率二极管 反向恢复 漏电流 |
Numerical Simulation and Analysis of SiGeC/Si Heterojunction Power Diodes |
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| Gao Yong,Liu Jing,Ma Li,Yu Mingbin.Numerical Simulation and Analysis of SiGeC/Si Heterojunction Power Diodes[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(6). |
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| Authors: | Gao Yong Liu Jing Ma Li Yu Mingbin |
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