| Cd0.8 Mn0.2Te晶体的生长及其性能 |
| |
| 引用本文： | 张继军,介万奇. Cd0.8 Mn0.2Te晶体的生长及其性能[J]. 半导体学报, 2006, 27(6) |
| |
| 作者姓名： | 张继军 介万奇 |
| |
| 作者单位： | 西北工业大学材料学院,西安,710072;西北工业大学材料学院,西安,710072 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 通过适当的工艺措施,采用传统布里奇曼法生长了尺寸为φ30mm×120mm的Cd0.8Mn0.2Te晶体.对晶体进行了X射线粉末衍射、X射线双晶摇摆曲线、紫外-可见光光谱、红外透过率及电阻率测试.测试结果表明,晶体结构为立方型,半峰宽较低,吸收边为720nm,对应禁带宽度为1.722eV,晶体的红外透过率和电阻率都较高.并讨论了晶体中的缺陷对红外透过率和电阻率的影响.
|
| 关 键 词： | Cd0.8Mn0.2Te X射线衍射 红外透过率 电阻率 紫外-可见-近红外光光谱 |
Growth and Properties of Cd0.8 Mn0.2 Te Crystal |
| |
| Zhang Jijun,Jie Wanqi. Growth and Properties of Cd0.8 Mn0.2 Te Crystal[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(6) |
| |
| Authors: | Zhang Jijun Jie Wanqi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
