首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

硅晶片双面超精密化学机械抛光
引用本文:张楷亮,宋志棠,钟旻,郑鸣捷,封松林. 硅晶片双面超精密化学机械抛光[J]. 半导体学报, 2006, 27(Z1)
作者姓名:张楷亮  宋志棠  钟旻  郑鸣捷  封松林
作者单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,纳米技术研究室,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划),中国科学院资助项目,上海市应用材料科技合作共同计划,中国博士后科学基金,上海市科委科技计划,美国SST公司资助项目
摘    要:为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.

关 键 词:硅晶片  双面抛光  化学机械抛光  抛光液

Double Side Fine CMP of Silicon Wafer
Zhang Kailiang,Song Zhitang,Zhong Min,Zheng Mingjie,Feng Songlin. Double Side Fine CMP of Silicon Wafer[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(Z1)
Authors:Zhang Kailiang  Song Zhitang  Zhong Min  Zheng Mingjie  Feng Songlin
Abstract:
Keywords:
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号