| 基于局部基底弯曲法的高灵敏度薄膜应力测试技术 |
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| 引用本文： | 王莎莎,陈兢,栗大超,黄玉波,李志宏. 基于局部基底弯曲法的高灵敏度薄膜应力测试技术[J]. 半导体学报, 2006, 27(6) |
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| 作者姓名： | 王莎莎 陈兢 栗大超 黄玉波 李志宏 |
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| 作者单位： | 1. 北京大学微电子学研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871
2. 天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室,天津,300072 |
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| 摘 要： | 针对MEMS(micro-electro-mechanical system)和NEMS(nano-electro-mechanical system)对薄膜应力测试的要求,开发了一种新型高灵敏度薄膜应力测试技术,使用自行搭建的准纳米光学干涉测试系统,利用局部基底弯曲来检测薄膜的内应力.该方法不仅保留了传统基底弯曲法的所有优点,而且消除了其系统误差.使用ANSYS对测试结构进行了模拟和优化,对于30nm厚的薄膜,应力检测的分辨率为1.5MPa,优于目前国际上的相关报道.本测试结构使用各向异性腐蚀和DRIE(deep reactive ion etching)完成,加工工艺简单实用.文中使用该测试技术对常用MEMS薄膜的残余应力进行了测量,结果与其他测试方法得到的结果基本一致,测量重复性优于1%.该技术可以用于测试纳米级薄膜及超低应力薄膜的内应力.
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| 关 键 词： | 微机械系统 内应力 纳米级薄膜 基底弯曲法 光学干涉测量 |
A Highly Sensitive Local Curvature Metrology for Internal Stress Detection in Thin Films |
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| Wang Shasha,Chen Jing,Li Dachao,Huang Yubo,Li Zhihong. A Highly Sensitive Local Curvature Metrology for Internal Stress Detection in Thin Films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(6) |
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| Authors: | Wang Shasha Chen Jing Li Dachao Huang Yubo Li Zhihong |
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