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| 不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射 | |
| 引用本文： | 张冠杰,徐波,陈涌海,姚江宏,林耀望,舒永春,皮彪,邢晓东,刘如彬,舒强,王占国,许京军.不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射[J].半导体学报,2006,27(6). |
| 作者姓名： | 张冠杰 徐波 陈涌海 姚江宏 林耀望 舒永春 皮彪 邢晓东 刘如彬 舒强 王占国 许京军 |
| 作者单位： | 1. 南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457 2. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083 3. 南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，天津市应用基础研究项目 |
| 摘 要： | 利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程. |
| 关 键 词： | 量子点 喇曼散射 应变效应 限制效应 |
Raman Scattering of InAs Quantum Dots with Different Deposition Thicknesses |
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| Zhang Guanjie,Xu Bo,Chen Yonghai,Yao Jianghong,Lin Yaowang,Shu Yongchun,Pi Biao,Xing Xiaodong,Liu Rubin,Shu Qiang,Wang Zhanguo,Xu Jingjun.Raman Scattering of InAs Quantum Dots with Different Deposition Thicknesses[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(6). | |
| Authors: | Zhang Guanjie Xu Bo Chen Yonghai Yao Jianghong Lin Yaowang Shu Yongchun Pi Biao Xing Xiaodong Liu Rubin Shu Qiang Wang Zhanguo Xu Jingjun |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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