| 基于扇形霍尔板几何修正因子的分裂漏磁敏场效应晶体管相对灵敏度研究 |
| |
| 引用本文： | 刘同,朱大中.基于扇形霍尔板几何修正因子的分裂漏磁敏场效应晶体管相对灵敏度研究[J].半导体学报,2006,27(12). |
| |
| 作者姓名： | 刘同 朱大中 |
| |
| 作者单位： | 浙江大学微电子与光电子研究所,杭州,310027 |
| |
| 摘 要： | 采用保角变换方法推导出扇形霍尔板的几何修正因子,并根据几何修正因子得到扇形分裂漏场效应晶体管相对灵敏度的解析表达式.通过计算机模拟和实验测试结果的验证,进一步完善了扇形磁敏分裂漏场效应管相对灵敏度的数学模型.相比矩形结构磁敏场效应晶体管,扇形磁敏场效应晶体管具有更高的相对灵敏度.测试所获最大灵敏度为3.77%T-1,根据本文模型,最大相对灵敏度应为3.81%T-1.
|
| 关 键 词： | MAGFET 保角变换 几何修正因子 相对灵敏度 数学模型 |
Relative Sensitivity of Sector Split-Drain Magnetic Field-Effect Transistor Based on Geometrical Correction Factor of Sector Hall Plate |
| |
| Liu Tong,Zhu Dazhong.Relative Sensitivity of Sector Split-Drain Magnetic Field-Effect Transistor Based on Geometrical Correction Factor of Sector Hall Plate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(12). |
| |
| Authors: | Liu Tong Zhu Dazhong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
