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| 快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响 | |
| 引用本文： | 冯泉林,史训达,刘斌,刘佐星,王敬,周旗钢.快速退火气氛对300mm硅片内洁净区和氧沉淀形成的影响[J].半导体学报,2006,27(1). |
| 作者姓名： | 冯泉林 史训达 刘斌 刘佐星 王敬 周旗钢 |
| 作者单位： | 1. 北京有色金属研究总院,北京,100088;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088 2. 有研半导体材料股份有限公司,北京,100088 3. 北京有色金属研究总院,北京,100088 |
| 摘 要： | 300mm硅片中厚度合适的洁净区和高密度氧沉淀,有利于对器件有源区金属沾污的吸除,改善栅氧化物的完整性.文中使用Ar,N2/NHa混合气作为快速退火(RTA)气氛,研究RTA气氛对洁净区、氧沉淀形成的影响.研究发现N2/NHs混合气氛处理的硅片表层洁净区明显薄于Ar气氛处理的硅片,氧沉淀密度明显高于Ar气氛处理后的硅片.同时发现在两种气氛下,延长恒温时间都可以降低洁净区厚度,增加氧沉淀密度.基于空位增强氧沉淀成核和氮化空位注入的基本原理,就RTA气氛和恒温时间对洁净区和氧沉淀分布的影响进行了讨论. |
| 关 键 词： | 洁净区 氧沉淀 单晶硅片 内吸杂 RTA |
Effect of Rapid Thermal Annealing Ambient on Denuded Zone and Oxygen Precipitates in a 300mm Silicon Wafer |
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| Feng Quanlin,Shi Xunda,Liu Bin,Liu Zuoxing,Wang Jing,Zhou Qigang.Effect of Rapid Thermal Annealing Ambient on Denuded Zone and Oxygen Precipitates in a 300mm Silicon Wafer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(1). | |
| Authors: | Feng Quanlin Shi Xunda Liu Bin Liu Zuoxing Wang Jing Zhou Qigang |
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