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| 直接键合SOI晶圆的工艺 | |
| 引用本文： | 黄祯宏,邱恒德. 直接键合SOI晶圆的工艺[J]. 半导体学报, 2006, 27(Z1) |
| 作者姓名： | 黄祯宏 邱恒德 |
| 作者单位： | 合晶科技,桃园,326 |
| 摘 要： | 使用直接键合晶圆工艺制作SOI晶圆.分别讨论了晶圆净度与表面平坦度对于键合晶圆缺陷的影响,还通过将氧化层生长在不同晶圆上的方法,比较不同方法对于挠曲度的影响.结果表明,晶圆的凹陷造成键合晶圆发生缺陷,通过红外光可以准确检验出晶圆界面缺陷.不同的氧化层生长方式明显地改变了键合晶圆的挠曲度. |
| 关 键 词： | 键合晶圆 缺陷 凹陷 |
Direct Bonded SOI Wafers Technology |
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| Huang Chenhung,Chiou Herngde. Direct Bonded SOI Wafers Technology[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(Z1) | |
| Authors: | Huang Chenhung Chiou Herngde |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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