| 太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计 |
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| 引用本文： | 林桂江,赖虹凯,李成,陈松岩,余金中.太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计[J].半导体学报,2006,27(5). |
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| 作者姓名： | 林桂江 赖虹凯 李成 陈松岩 余金中 |
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| 作者单位： | 1. 厦门大学物理系,厦门大学半导体光子学研究中心,厦门,361005
2. 厦门大学物理系,厦门大学半导体光子学研究中心,厦门,361005;中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，福建省青年科技人才创新基金 |
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| 摘 要： | 使用nextnano3模拟软件计算Si/Si1-xGex/Si量子阱的能带结构,对Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带结构进行设计,结果表明使用Ge组分为0.27～0.3,量子阱宽度为3nm的SiGe合金与垒宽为3nm的Si层构成对称应变级联异质结构,有利于优化THz Si/SiGe量子级联激光器结构.
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| 关 键 词： | Si/SiGe 量子级联激光器 子带阱间跃迁 nextnano3 |
Energy Band Design for a Terahertz Si/SiGe Quantum Cascade Laser |
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| Lin Guijiang,Lai Hongkai,Li Cheng,Chen Songyan,Yu Jinzhong.Energy Band Design for a Terahertz Si/SiGe Quantum Cascade Laser[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(5). |
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| Authors: | Lin Guijiang Lai Hongkai Li Cheng Chen Songyan Yu Jinzhong |
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