| SiGe HBT传输电流模型研究 |
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| 引用本文： | 胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,宣荣喜,崔晓英,王青,姜涛.SiGe HBT传输电流模型研究[J].半导体学报,2006,27(6). |
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| 作者姓名： | 胡辉勇 张鹤鸣 戴显英 宣荣喜 崔晓英 王青 姜涛 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家部委预研基金，国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 基于SiGe异质结双极晶体管(HBT)大信号等效电路模型,建立了SiGe HBT传输电流模型.重点考虑发射结能带的不连续对载流子输运产生的影响,通过求解流过发射结界面的载流子密度,建立了SiGe HBT传输电流模型.该模型物理意义清晰,拓扑结构简单.对该模型进行了模拟,模拟结果与文献报道的结果符合得较好.将该模型嵌入PSPICE软件中,实现了对SiGe HBT器件与电路的模拟分析,并对器件进行了直流分析,分析结果与文献报道的结果符合得较好.
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| 关 键 词： | SiGe 异质结双极晶体管 传输电流 PSPICE软件 |
Transport Current Model of SiGe HBT |
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| Hu Huiyong,Zhang Heming,Dai Xianying,Xuan Rongxi,Cui Xiaoying,Wang Qing,Jiang Tao.Transport Current Model of SiGe HBT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(6). |
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| Authors: | Hu Huiyong Zhang Heming Dai Xianying Xuan Rongxi Cui Xiaoying Wang Qing Jiang Tao |
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