| 一种新颖的应变Si沟道 pMOSFET制作技术 |
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| 引用本文： | 张静,徐婉静,谭开洲,李荣强,李开成,刘道广,刘伦才. 一种新颖的应变Si沟道 pMOSFET制作技术[J]. 半导体学报, 2006, 27(Z1) |
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| 作者姓名： | 张静 徐婉静 谭开洲 李荣强 李开成 刘道广 刘伦才 |
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| 作者单位： | 1. 模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060;中国电子科技集团集团第24所,重庆,400060
2. 模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 在应变Si沟道异质结场效应晶体管(HFET)制作过程中,引入分子束外延(MBE)低温Si(LT-Si)技术,大大减少了弛豫SiGe层所需的厚度.TEM结果表明,应变Si层线位错密度低于106cm-2.原子力显微镜(AFM)测试表明,其表面均方粗糙度小于1.02nm.器件测试结果表明,与相同条件下的体Si pMOSFET相比,空穴迁移率提高了25%.
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| 关 键 词： | 应变Si SiGe 异质结场效应晶体管 分子束外延 弛豫 |
A Novel Strained Si Channel Heterojunction pMOSFET |
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| Zhang Jing,Xu Wanjing,Tan Kaizhou,Li Rongqiang,Li Kaicheng,Liu Daoguang,Liu Luncai. A Novel Strained Si Channel Heterojunction pMOSFET[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(Z1) |
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| Authors: | Zhang Jing Xu Wanjing Tan Kaizhou Li Rongqiang Li Kaicheng Liu Daoguang Liu Luncai |
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