| N+注入硅中氮-空位复合体的红外光谱 |
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| 引用本文： | 陈海龙,汪雷,马向阳,杨德仁.N+注入硅中氮-空位复合体的红外光谱[J].半导体学报,2006,27(7). |
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| 作者姓名： | 陈海龙 汪雷 马向阳 杨德仁 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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| 摘 要： | 利用离子注入以100和180keV的能量和5×1015cm-2的剂量向单晶硅片双面注入氮杂质,然后进行不同温度的快速热处理(RTP).利用傅里叶红外(FTIR)光谱研究不同温度RTP处理后的注氮硅中氮杂质的行为.研究发现,经过750～900℃的RTP处理50s后,样品的FTIR图谱中出现四个新的红外吸收峰,并随温度升高先增强后减弱,这些红外吸收峰被认为与氮-空位复合体有关.通过构建原子结构模型并进行理论模拟计算分析,表明在新出现的红外吸收峰中有两个与双氮-双空位(N2V2)结构相关的红外吸收峰.
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| 关 键 词： | 硅 N离子注入 红外吸收光谱 氮-空位复合体 |
Infrared Spectrum of Nitrogen-Vacancy Complexes in Nitrogen-Implanted Silicon |
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| Chen Hailong,Wang Lei,Ma Xiangyang,Yang Deren.Infrared Spectrum of Nitrogen-Vacancy Complexes in Nitrogen-Implanted Silicon[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(7). |
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| Authors: | Chen Hailong Wang Lei Ma Xiangyang Yang Deren |
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