| 退火温度对嵌入Si中的β-FeSi2颗粒发光的影响 |
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| 引用本文： | 李成,赖虹凯,陈松岩.退火温度对嵌入Si中的β-FeSi2颗粒发光的影响[J].半导体学报,2006,27(1). |
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| 作者姓名： | 李成 赖虹凯 陈松岩 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 福建省青年科技人才创新基金，国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 研究了退火温度对分子束外延(MBE)方法生长的Si基β-FeSi2颗粒的发光性质和电学特性的影响.结果表明,在900℃下退火的样品,虽然β-FeSi2的结晶质量有所提高,但是由于晶格失配和热膨胀系数的不同,在Si中引入位错,导致样品的光致发光谱展宽和形成的二极管漏电流增大.而在800℃下退火的样品,具有较低的漏电流和较强的室温电致发光谱.
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| 关 键 词： | β-FeSi2 光致发光 退火 |
Influence of Annealing Temperature on Luminescence of β-FeSi2 Particles Embedded in Silicon |
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| Li Cheng,Lai Hongkai,Chen Songyan.Influence of Annealing Temperature on Luminescence of β-FeSi2 Particles Embedded in Silicon[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(1). |
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| Authors: | Li Cheng Lai Hongkai Chen Songyan |
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