| 蓝宝石衬底上侧向外延GaN中的位错降低 |
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| 作者姓名： | 陈俊 王建峰 王辉 赵德刚 朱建军 张书明 杨辉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 采用侧向外延(ELOG)方法,在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN.AFM,化学湿法腐蚀及TEM分析表明:采用两步法ELOG生长的GaN中,掩膜下方的缺陷被掩膜所阻挡,窗口区内二次生长的GaN的位错也大幅降低;在相邻生长前沿所形成的合并界面处形成晶界;化学湿法腐蚀无法得到关于合并界面处缺陷的信息.侧翼区域中极低的穿透位错使得ELOG GaN适用于在其上制作高性能的氮化物基激光器.
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| 关 键 词： | 金属有机物化学气相沉积 GaN 侧向外延 位错 |
| 收稿时间： | 2015-08-20 |
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