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一种高精度带隙电压基准源改进设计
引用本文:徐勇,王志功,关宇,乔庐峰,赵斐. 一种高精度带隙电压基准源改进设计[J]. 半导体学报, 2006, 27(12)
作者姓名:徐勇  王志功  关宇  乔庐峰  赵斐
作者单位:1. 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;解放军理工大学,南京,211101
2. 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096
3. 解放军理工大学,南京,211101
摘    要:在原有经典三条支路结构的带隙基准电路基础上,通过减少带隙电压源的电流源镜像次数及控制电流源漏源电压,在减小器件失配影响的同时,进一步减小了沟道长度调制效应的影响,大幅度提高了基准电压源的精度,降低了温度系数.封装后200片统计测试的结果:输出电压精度为1.23±0.02V,标准偏差σ仅为0.007V,-40~85℃范围内的温度系数测试值在16ppm附近,芯片电源电流为100μA.该改进电路的设计仿真结果和流片测试结果有很高的一致性.

关 键 词:带隙基准  电压基准源  沟道调制  电源抑制比

Improved Design of a Bandgap Voltage Reference with High Accuracy
Xu Yong,Wang Zhigong,Guan Yu,Qiao Lufeng,Zhao Fei. Improved Design of a Bandgap Voltage Reference with High Accuracy[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(12)
Authors:Xu Yong  Wang Zhigong  Guan Yu  Qiao Lufeng  Zhao Fei
Abstract:
Keywords:
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