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用电子束曝光方法在优化设计的绝缘体上硅脊状波导上实现布拉格光栅的制作和评价
引用本文:武志刚,张伟刚,王志,开桂云,袁树中,董孝义,宇高胜之,和田恭雄.用电子束曝光方法在优化设计的绝缘体上硅脊状波导上实现布拉格光栅的制作和评价[J].半导体学报,2006,27(8).
作者姓名:武志刚  张伟刚  王志  开桂云  袁树中  董孝义  宇高胜之  和田恭雄
作者单位:南开大学现代光学研究所,天津,300071;早稻田大学理工学部,东京,169-8555,日本;南开大学现代光学研究所,天津,300071;早稻田大学理工学部,东京,169-8555,日本
摘    要:报道了一种用电子束曝光的方法在绝缘体上硅的脊状光波导上制做布拉格光栅的技术.考虑到实际的光子学集成的应用,讨论了这个带有布拉格光栅的脊状光波导的优化设计,给出了该布拉格光栅的测试和理论模拟结果.通过薄化绝缘体上硅的波导层的厚度和光栅的深腐蚀加工,获得了高达30cm-1的光栅耦合系数.

关 键 词:集成光学  布拉格光栅  绝缘体上硅  脊状光波导

Fabrication and Evaluation of Bragg Gratings on Optimally Designed Silicon-on-Insulator Rib Waveguides Using Electron-Beam Lithography
Wu Zhigang,Zhang Weigang,Wang Zhi,Kai Guiyun,Yuan Shuzhoung,Dong Xiaoyi,Utaka K,Wada Y.Fabrication and Evaluation of Bragg Gratings on Optimally Designed Silicon-on-Insulator Rib Waveguides Using Electron-Beam Lithography[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(8).
Authors:Wu Zhigang  Zhang Weigang  Wang Zhi  Kai Guiyun  Yuan Shuzhoung  Dong Xiaoyi  Utaka K  Wada Y
Abstract:The fabrication of Bragg gratings on silicon-on-insulator (SOI) rib waveguides using electron-beam lithography is presented.The grating waveguide is optimally designed for actual photonic integration.Experimental and theoretical evaluations of the Bragg grating are demonstrated.By thinning the SOI device layer and deeply etching the Bragg grating,a large grating coupling coefficient of 30cm-1 is obtained.
Keywords:integrated optics  Bragg grating  silicon-on-insulator  rib waveguide
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