| 室温下Si/Si1-xGex共振隧穿二极管的数值模拟 |
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| 引用本文： | 李涛,余志平,王燕,黄雷,向采兰. 室温下Si/Si1-xGex共振隧穿二极管的数值模拟[J]. 半导体学报, 2006, 27(5) |
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| 作者姓名： | 李涛 余志平 王燕 黄雷 向采兰 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nm Si/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入second upwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不同的器件结构,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响.在室温下(T=293K),当x=0.23时,模拟结果的峰谷电流比为1.14,与实验结果相吻合.
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| 关 键 词： | Si/Si1-xGex共振隧穿二极管 量子水动力学模型 离散方法 轻重空穴 峰谷电流比 |
Numerical Simulation of Si/Si1-xGex Resonant Tunneling Diode at Room Temperature |
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| Li Tao,Yu Zhiping,Wang Yan,Huang Lei,Xiang Cailan. Numerical Simulation of Si/Si1-xGex Resonant Tunneling Diode at Room Temperature[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(5) |
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| Authors: | Li Tao Yu Zhiping Wang Yan Huang Lei Xiang Cailan |
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