| 高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现 |
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| 引用本文： | 王会智,李拂晓.高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现[J].半导体学报,2006,27(6). |
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| 作者姓名： | 王会智 李拂晓 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 介绍了一种高性能50MHz～20GHz的超宽带5 bit GaAs数字衰减器的设计、制造和测试结果,并着重介绍实现超宽带的设计.该衰减器通过标准0.5μm离子注入工艺实现.最终的单片衰减器性能如下:插入损耗＜5dB;最大衰减量＞31dB;两端口所有态的电压驻波比＜1.5;所有态衰减精度＜±0.3dB;相位变化量(相对于基态)在-5°～20°之间;1dB压缩点输入功率22dBm(10GHz).
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| 关 键 词： | 超宽带 GaAs 数字衰减器 MESFET |
Design and Fabrication of Excellent Ultra-Broad Digital Attenuator Chips |
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| Wang Huizhi,Li Fuxiao.Design and Fabrication of Excellent Ultra-Broad Digital Attenuator Chips[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(6). |
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| Authors: | Wang Huizhi Li Fuxiao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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