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| 低压条形栅功率场效应晶体管的研制 | |
| 引用本文： | 王立新,廖太仪,陆江. 低压条形栅功率场效应晶体管的研制[J]. 半导体学报, 2006, 27(Z1) |
| 作者姓名： | 王立新 廖太仪 陆江 |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
| 摘 要： | 介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS.通过与传统的元胞型结构比较,发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快以及工作稳定性高等特点.还对条形栅VDMOS的工艺做了介绍,其工艺过程简单,实用性强. |
| 关 键 词： | 条形栅 VDMOS 功率场效应晶体管 |
Development of a Stripe Gate Power MOSFET |
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| Wang Lixin,Liao Taiyi,Lu Jiang. Development of a Stripe Gate Power MOSFET[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(Z1) | |
| Authors: | Wang Lixin Liao Taiyi Lu Jiang |
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| Keywords: | |
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