| 变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性 |
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| 引用本文： | 王冲,张金风,杨燕,郝跃,冯倩,张进城.变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性[J].半导体学报,2006,27(5). |
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| 作者姓名： | 王冲 张金风 杨燕 郝跃 冯倩 张进城 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目，国防科技预研基金，国防重点实验室基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量,研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25～200℃之间的变化,分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流随温度的变化规律.得出了器件饱和电流随温度升高而下降主要由输运特性退化造成,沟道泄漏电流随温度的变化主要由栅泄漏电流引起的结论.同时,证明了GaN缓冲层漏电不是导致器件退化的主要原因.
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| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 二维电子气 传输线模型 泄漏电流 |
Temperature Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Using C-V and TLM for Evaluating Temperatures |
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| Wang Chong,Zhang Jinfeng,Yang Yan,Hao Yue,Feng Qian,Zhang Jincheng.Temperature Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Using C-V and TLM for Evaluating Temperatures[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(5). |
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| Authors: | Wang Chong Zhang Jinfeng Yang Yan Hao Yue Feng Qian Zhang Jincheng |
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