| 具有n+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析 |
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| 引用本文： | 张波,段宝兴,李肇基.具有n+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析[J].半导体学报,2006,27(4). |
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| 作者姓名： | 张波 段宝兴 李肇基 |
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| 作者单位： | 电子科技大学IC设计中心,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家重点实验室基金，中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 针对薄外延横向功率集成技术的发展,提出一种降低体内电场REBULF(REduced BULk Field)的新耐压技术,并设计了一例具有n+浮空层的REBULF LDMOS新结构.新耐压机理是通过嵌入在高阻衬底中的n+浮空层的等电位调制作用,提高源端体内低电场而降低漏端体内高电场使纵向电场重新分配,同时使衬底耐压提高.借助二维数值分析,验证了满足REBULF的条件为n+层的位置与衬底浓度的乘积不大于1×1012cm-2;在保证低的比导通电阻条件下,新结构较传统LDMOS结构击穿电压可提高75%以上.
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| 关 键 词： | LDMOS 体电场 n+浮空层 击穿电压 |
Breakdown Voltage Analysis of a REBULF LDMOS Structure with an n + -Floating Layer |
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| Zhang Bo,Duan Baoxing,Li Zhaoji.Breakdown Voltage Analysis of a REBULF LDMOS Structure with an n + -Floating Layer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(4). |
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| Authors: | Zhang Bo Duan Baoxing Li Zhaoji |
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| Keywords: | |
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