| 金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点/Si多层异质薄膜的特性 |
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| 引用本文： | 鄢波,张匡吉,施毅,濮林,韩平,张荣,郑有炓. 金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点/Si多层异质薄膜的特性[J]. 半导体学报, 2006, 27(4) |
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| 作者姓名： | 鄢波 张匡吉 施毅 濮林 韩平 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，国家科技攻关项目，科技部科研项目 |
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| 摘 要： | 研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/a-Si量子点多层结构,然后在较低温度下(低于550℃),利用金属Ni诱导多层结构中的a-Si层横向结晶制备出高质量的Ge/Si量子点超晶格结构.通过光学显微镜、电子显微镜和显微喇曼光谱等手段测量研究表明,与单一a-Si系统的金属Ni诱导相似,该多层结构中的各α-Si层退火后也具有(110)择优取向,同时晶粒的直径较大,约在4～5μm左右.Ge点中的应力状态的变化揭示出诱导结晶后形成高质量的晶态Si与Ge纳米点界面.
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| 关 键 词： | Ge/Si量子点多层结构 低压化学气相沉积 金属诱导横向结晶 |
Characteristics of Ge-Dots/Si Multilayered Structure Fabricated by Ni-Based Metal Induced Lateral Crystallization |
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| Yan Bo,Zhang Kuangji,Shi Yi,Pu Lin,Han Ping,Zhang Rong,Zheng Youdou. Characteristics of Ge-Dots/Si Multilayered Structure Fabricated by Ni-Based Metal Induced Lateral Crystallization[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(4) |
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| Authors: | Yan Bo Zhang Kuangji Shi Yi Pu Lin Han Ping Zhang Rong Zheng Youdou |
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