| C波段3.5W/mm,PAE＞40%的InGaP/GaAs HBT功率管 |
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| 引用本文： | 申华军,陈延湖,严北平,葛霁,王显泰,刘新宇,吴德馨.C波段3.5W/mm,PAE＞40%的InGaP/GaAs HBT功率管[J].半导体学报,2006,27(9). |
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| 作者姓名： | 申华军 陈延湖 严北平 葛霁 王显泰 刘新宇 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的材料结构和器件结构,采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术,研制了C波段InGaP/GaAs HBT功率管.其击穿电压BVCBO大于31V,BVCEO大于21V;在5.4GHz时连续波(CW)饱和输出功率达到1.4W,功率密度达到3.5W/mm,功率附加效率(PAE)大于40%.
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| 关 键 词： | InGaP/GaAs 异质结双极晶体管 功率管 |
C-Band 3.5W/mm InGaP/GaAs HBT Power Transistors with ＞40% Power-Added Efficiency |
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| Shen Huajun,Chen Yanhu,Yan Beiping,Ge Ji,Wang Xiantai,Liu Xinyu,Wu Dexin.C-Band 3.5W/mm InGaP/GaAs HBT Power Transistors with ＞40% Power-Added Efficiency[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(9). |
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| Authors: | Shen Huajun Chen Yanhu Yan Beiping Ge Ji Wang Xiantai Liu Xinyu Wu Dexin |
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