| 固相反应和离子注入制备硅化镍薄膜 |
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| 引用本文： | 张兴旺. 固相反应和离子注入制备硅化镍薄膜[J]. 半导体学报, 2006, 27(Z1) |
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| 作者姓名： | 张兴旺 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,半导体材料重点实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 中国科学院"百人计划" |
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| 摘 要： | 采用固相反应和镍离子注入硅方法分别制备了硅化镍薄膜,利用卢瑟福背散射谱(RBS),X射线衍射(XRD)和喇曼光谱对它们的成分和结构进行了表征.结果表明固相反应方法中,硅化镍薄膜的相结构取决于不同的热退火条件,纯相的NiSi2薄膜需要在高温(1123K)下两步热退火才能获得.而利用离子注入方法,则可以在较低温度(523K)下直接得到单相的NiSi2薄膜.在30～400 K范围内测量了它们的电阻率和霍尔迁移率随温度的变化关系,结果表明固相反应制备的NiSi和NiSi2薄膜都表现出典型的金属性电导行为,而离子注入制备的NiSi2薄膜则表现出完全不同的电学性质.
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| 关 键 词： | 固相反应 离子束合成 硅化镍薄膜 电学性质 |
Growth of Nickel Silicide Thin Films by Solid Phase Reaction and Ion Beam Synthesis |
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| Zhang Xingwang. Growth of Nickel Silicide Thin Films by Solid Phase Reaction and Ion Beam Synthesis[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(Z1) |
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| Authors: | Zhang Xingwang |
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