| Si间隔层对利用低温Si缓冲层生长高弛豫SiGe层的影响 |
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| 引用本文： | 杨鸿斌,樊永良. Si间隔层对利用低温Si缓冲层生长高弛豫SiGe层的影响[J]. 半导体学报, 2006, 27(Z1) |
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| 作者姓名： | 杨鸿斌 樊永良 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
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| 摘 要： | 利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不同外延层厚度处位错的腐蚀图样.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe外延层中位错形成、传播及其对应变弛豫的影响.结果表明Si间隔层的引入,显著改变了外延层中位错的形成和传播,进而使得样品表面形貌也呈现出较大的差异.
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| 关 键 词： | SiGe 应变弛豫 位错 |
Effect of Si Intermediate Layer on High Relaxed SiGe Layer Grown Using Low Temperature Si Buffer |
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| Yang Hongbin,Fan Yongliang. Effect of Si Intermediate Layer on High Relaxed SiGe Layer Grown Using Low Temperature Si Buffer[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(Z1) |
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| Authors: | Yang Hongbin Fan Yongliang |
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