| 两种自主开发的图形外延SiGe工艺 |
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| 引用本文： | 徐阳,王飞,许军,刘志弘,钱佩信. 两种自主开发的图形外延SiGe工艺[J]. 半导体学报, 2006, 27(Z1) |
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| 作者姓名： | 徐阳 王飞 许军 刘志弘 钱佩信 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/P0ly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.
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| 关 键 词： | 图形外延 SiGe 超高真空化学气相淀积 |
Two Kinds of Patterned SiGe Epitaxial Growth Technologies |
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| Xu Yang,Wang Fei,Xu Jun,Liu Zhihong,Qian Peixin. Two Kinds of Patterned SiGe Epitaxial Growth Technologies[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(Z1) |
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| Authors: | Xu Yang Wang Fei Xu Jun Liu Zhihong Qian Peixin |
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