| 电子束在MEMS加工中邻近效应的分析与补偿 |
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| 引用本文： | 尹明,张玉林,程建辉. 电子束在MEMS加工中邻近效应的分析与补偿[J]. 机械工程学报, 2004, 40(9): 67-70 |
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| 作者姓名： | 尹明 张玉林 程建辉 |
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| 作者单位： | 山东大学控制科学与工程学院,济南,250061;山东大学机械工程学院,济南,250061 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(90307003)，山东省教育厅自然科学基金(03B53)资助项目 |
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| 摘 要： | 电子束刻蚀后,通过刻蚀改变了薄膜基片中的分子的重量,并导致希望曝光区域和实际曝光区域不一致,这一现象被称为“邻近效应”。利用SDS-3电子束曝光机完成有关邻近效应的试验。加工过程中加速电压为5～30kV,衬底基片为硅和PMMA,使校正后邻近效应参量η减少30％。给出实际完成基片图。
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| 关 键 词： | 邻近效应 微机电系统 畸变 最优状态 校正 |
| 修稿时间： | 2003-10-13 |
ANALYSIS AND COMPENSATION OF PROXIMITY EFFECT IN MEMS WITH E-BEAM LITHOGRAPHY |
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| Yin Ming Zhang Yulin. ANALYSIS AND COMPENSATION OF PROXIMITY EFFECT IN MEMS WITH E-BEAM LITHOGRAPHY[J]. Chinese Journal of Mechanical Engineering, 2004, 40(9): 67-70 |
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| Authors: | Yin Ming Zhang Yulin |
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| Keywords: | Proximity effect MEMS Distortion Optimal state Correction |
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