Rectificafifs et compléments: Structure des joints de grains—considérations cristallographiques et méthodes de calcul des structures (Can. Met. Quart. 13:9–41 (1974))

Abstract

A combined theoretical and experimental method for determining elastic microstress distributions in externally loaded single metallic crystals, in particular of silicon, is described in this paper. Utilizing a line tension model of a dislocation segment, an expression is obtained which describes the stresses acting on a dislocation in terms of its geometric parameters. An existing X-ray Lang scanning technique is then used to obtain the dislocation pattern in an elastically stressed silicon single crystal. From the geometric characteristics of dislocations measured from such a pattern, the stress field acting on each individual dislocation is calculated from the analytical expression deduced in this present study. Stresses, so deduced, are taken to be representative of the actual microstress situation and hence lead to the determination of microstress distributions in single crystals of silicon.

Résumé

Les auteurs décrivent ici une méthode tant théorique qu'expérimentale qui perlnet de déterminer la distribution de microcontraintes élastiques dans des monocristaux métalliques sous charge, en particulier pour du silicium. A partir du modèle de tension de ligne d'une dislocation, nous obtenons une expression donnant la contrainte sur une disloca:tion en fonction de sa géométrie. La distribution des dislocations dans un monocristal de silicium déformé dans le domaine élastique est obtenu par balayage de rayons-X par la technique de Lang. A partir de la géométrie ainsi mesurée des dislocations, le champ de contraintes agissant sur chaque dislocation est calculé par l'expression obtenue précédemmente Les contraintes ainsi calculées sont supposées représenter les microcontraintes réelles et permettent donc de déterminer la distribution des microcontraintes dans les monocristaux de silicium.