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| Ka波段GaN单片低噪声放大器研制 | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所;2.微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 |
| 摘 要： | 报道了Ka波段GaN自偏压低噪声三级放大电路的研制结果。在高Al含量的AlGaN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长100nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大电流密度为1.55A/mm,最大跨导为490mS/mm;小信号测试外推其fT和fmax分别为95GHz及230GHz。采用该工艺制备的自偏压三级放大电路工作电压7V,在33~47GHz小信号增益大于20dB,噪声系数均值在2dB左右,单频点噪声系数可达1.6dB,噪声水平达到GaN器件在该频段的高水平。此外,该单片电路的功耗在560mW左右,带内连续波测试输出P-1>15dBm。 |
| 关 键 词： | GaN高电子迁移率晶体管 Ka波段 电子束直写 低噪声放大器 |
Fabrication of Ka-band GaN MMIC LNA |
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| Keywords: | |