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| 提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究 | |
| 引用本文： | 吴正立,严利人.提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究[J].微电子学,1996,26(5):339-341. |
| 作者姓名： | 吴正立 严利人 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 为了提高Ｅ＾２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压，用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺大幅度高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。 |
| 关 键 词： | 数字集成电路 存储器 E^2PROM |
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