提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究 |
| |
作者姓名: | 吴正立 严利人 |
| |
作者单位: | 清华大学微电子学研究所 |
| |
摘 要: | 为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。
|
关 键 词: | 数字集成电路 存储器 E^2PROM |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
|