| CMOS／SOI的高温特性分析 |
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| 引用本文： | 高剑侠,李金华.CMOS／SOI的高温特性分析[J].微电子学,1996,26(3):146-149. |
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| 作者姓名： | 高剑侠 李金华 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室，江苏石油化工学院功能材料实验室 |
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| 摘 要： | 采用ＳＩＭＯＸ和ＢＥＳＯＩ材料制作了ＣＭＯＳ倒相器电路，在２５￣２００℃的不同温度下测量了ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，实验结果显示，薄膜全耗尽ＩＭＯＸ器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变化小于厚膜ＢＥＳＯＩ器件。
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| 关 键 词： | 半导体材料 CMOS SIMOX BESOI 倒相器 |
Analysis of High Temperature Properties of CMOS/SOI |
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| ZHU Shiyang,GAO Jianxia,LIN Chenglu.Analysis of High Temperature Properties of CMOS/SOI[J].Microelectronics,1996,26(3):146-149. |
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| Authors: | ZHU Shiyang GAO Jianxia LIN Chenglu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Semiconductor material CMOS SIMOX BESOI Inverter |
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