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| E^2PROM中PMOS管开启电压的工艺控制 | |
| 作者姓名： | 吴正立 严利人 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量，掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响。很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同时又保证了ｐｎ结击穿电压的要求，满足了Ｅ＾２ＰＲＯＭ研制的需要。 |
| 关 键 词： | 数字集成电路 存储器 E^2PROM PMOS |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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