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| GaAs／Si外延pn结构及其电学,光电和电致发光性质 | |
| 作者姓名： | 管玉国 |
| 摘 要： | 在Si衬底上利用分子束外延法和开放式氯气系统气相外延法依次生长了GaAs外延pn结构.在77～300K温度和10~(18)～10~(-2)A/cm~2电流密度范围内,p-n-GaAs-n-GaAs(b)/n-Si结构的伏安特性测试结果表明,正反向电流都具有隧道过剩电流特征.这种结构的光敏电流光谱和电致发光谱具有典型的p-n-GaAs结构特性,注入电致发光特性也具有典型的带间载流子辐射复合过程的光谱. |
| 关 键 词： | 硅 砷化镓 外延pn结构 |
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