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| 水分子在Si（100）面上吸附位的确定 | |
| 作者姓名： | 张瑞勤 楚天舒 戴国才 吴汲安 邢益荣 |
| 作者单位： | 山东大学光电材料与器件研究所，中国科学院半导体研究所，中国科学院表面物理实验室 |
| 摘 要： | 本文用Ｓｉ６６Ｈ５０原子集团模拟Ｓｉ（１００）表面，采用ＣＮＤＯ分子轨道理论方法计算了Ｈ２Ｏ在其上吸附的势能面．确定出Ｈ２Ｏ在Ｓｉ（１００）表面的最佳吸附位为洞位．在桥位Ⅰ、桥位Ⅱ和顶位上吸附时势能依次升高． |
| 关 键 词： | 硅（100） 水分子 吸附 半导体 表面 |
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