| 前驱膜中Ga含量对CIGS吸收层性能的影响 |
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| 引用本文： | 郑麒麟,庄大明,张弓,李秋芳. 前驱膜中Ga含量对CIGS吸收层性能的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2006, 26(Z1): 36-39 |
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| 作者姓名： | 郑麒麟 庄大明 张弓 李秋芳 |
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| 作者单位： | 清华大学机械工程系,北京,100084 |
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| 基金项目： | 面向21世纪教育振兴行动计划(985计划) |
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| 摘 要： | 采用中频交流磁控溅射方法制备了CuInGa(CIG)前驱膜,并采用固态硒化法进行处理,获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜.采用扫描电子显微镜和X射线衍射观察和分析了薄膜的成分、组织结构和表面形貌.着重分析了CIG前驱膜中的Ga含量对CIGS吸收层薄膜成分、晶体结构的影响.结果表明,通过调节CIG前驱膜的Ga含量可制备得到Cu/(In+Ga)原子比接近1,且Ga/(In+Ga)比例可调的成分分布均匀的CIGS薄膜.CIGS薄膜由Cu(In1-xGax)Se2固溶体相组成,Ga主要是以替代In的固溶形式存在.在CuIn和CuGa合金靶的功率密度分别为0.24和0.30W/cm2条件下制备的CIG前驱膜经固态硒化处理可获得Ga/(In+Ga)比高达0.2701的CIGS薄膜.
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| 关 键 词： | 太阳能电池 磁控溅射 前驱膜 硒化 |
| 文章编号： | 1672-7126(2006)增-0036-04 |
| 修稿时间： | 2005-09-01 |
Influence of Ga Concent of CuInGa Precursor on Stoichiometry of Cu(In1 - xGax) Se2 Photon Absorption Films |
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| Zheng Qilin,Zhuang Daming,Zhang Gong,Li Qiufang. Influence of Ga Concent of CuInGa Precursor on Stoichiometry of Cu(In1 - xGax) Se2 Photon Absorption Films[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2006, 26(Z1): 36-39 |
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| Authors: | Zheng Qilin Zhuang Daming Zhang Gong Li Qiufang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cu(In1-xGax)Se2 |
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