| 磁控溅射ITO薄膜结构和性能的研究 |
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| 引用本文： | 陈晨,杨洪星,唐文虎.磁控溅射ITO薄膜结构和性能的研究[J].电子工业专用设备,2014(10):8-13. |
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| 作者姓名： | 陈晨 杨洪星 唐文虎 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
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| 摘 要： | 利用中频脉冲磁控溅射工艺制备ITO薄膜,研究了在衬靶间距为60 mm、衬底温度为350℃、溅射功率为120 W、溅射气压为0.2 Pa的条件下,氧氩比(O2/Ar)、溅射时间对ITO薄膜表面形貌、膜厚、沉积速率及光电性能的影响。通过实验和分析,最终确定了在玻璃衬底上制备ITO薄膜的最佳氧氩比和溅射时间:氧氩比为0.4:40,溅射时间为45 min,获得了方阻为2.55Ω/□,电阻率为1.46×10-4Ω·cm,可见光范围内平均透过率为81.2%的薄膜。
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| 关 键 词： | ITO薄膜 氧氩比 溅射时间 |
Study on Preparation and Properties of ITO Thin Films by Magnetron Sputtering Method |
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| CHEN chen,YANG hongxing,TANG wenhu.Study on Preparation and Properties of ITO Thin Films by Magnetron Sputtering Method[J].Equipment for Electronic Products Marufacturing,2014(10):8-13. |
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| Authors: | CHEN chen YANG hongxing TANG wenhu |
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| Affiliation: | CHEN chen;YANG hongxing;TANG wenhu;The 46# Research Institute,CETC; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | IT O thin film s proportion of oxygen and argon gas sputtering tim e |
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