| UHFR FID阅读器中SiGe BiCMOS功率放大器的设计 |
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| 引用本文： | 阮颖,张书霖. UHFR FID阅读器中SiGe BiCMOS功率放大器的设计[J]. 上海电力学院学报, 2013, 29(3): 238-245 |
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| 作者姓名： | 阮颖 张书霖 |
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| 作者单位： | 上海电力学院电子与信息工程学院;华东师范大学微电子电路与系统研究所 |
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| 基金项目： | “核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”国家科技重大专项(2009ZX01034-002-002-001) |
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| 摘 要： | 设计了一种工作在860～960 MHz频段内,用于UHF RFID阅读器的单芯片射频功率放大器(PA).概述了PA适用的UHF RFID通信标准和采用的0.18μm SiGe BiCMOS工艺技术,分析了PA匹配电路和自适应偏置电路的设计方法,给出了PA芯片的电路结构和芯片测试结果.
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| 关 键 词： | 功率放大器 SiGe BiCMOS工艺 超高频 阅读器 |
| 收稿时间： | 2013-03-20 |
Designof a SiGe BiCMOS Power Amplifier for UHFRFID Reader |
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| RUAN Ying and ZHANG Shulin. Designof a SiGe BiCMOS Power Amplifier for UHFRFID Reader[J]. Journal of Shanghai University of Electric Power, 2013, 29(3): 238-245 |
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| Authors: | RUAN Ying and ZHANG Shulin |
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| Affiliation: | 1.School of Electronic & Information Engineering,Shanghai University of Electric Power,Shanghai 200090,China; 2.Institute of Microelectronic Circuit and System,East China Normal University,Shanghai 200062,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power amplifier SiGe BiCMOS technology UHF reader |
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