| FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的应力阻抗效应研究 |
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| 引用本文： | 刘均东,张万里,彭斌.FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的应力阻抗效应研究[J].材料导报,2010,24(12). |
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| 作者姓名： | 刘均东 张万里 彭斌 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国防预研基金 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射法在柔性Kapton基片上制备了三明治结构的FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜,研究了多层膜的交流阻抗随外加应力变化的规律.测试结果表明,三明治结构多层膜的阻抗随外加应力的增大而增大,应力阻抗效应随中间导电层厚度以及铁磁层厚度的增加而增强,同时应力阻抗效应也与测试频率密切相关.
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| 关 键 词： | FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜 应力阻抗效应 柔性基片 |
Stress Impedance Effect in FeCoSiB/Cu/FeCoSiB Multilayer Films |
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| LIU Jundong,ZHANG Wanli,PENG Bin.Stress Impedance Effect in FeCoSiB/Cu/FeCoSiB Multilayer Films[J].Materials Review,2010,24(12). |
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| Authors: | LIU Jundong ZHANG Wanli PENG Bin |
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