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| 发光二极管电子辐照后缺陷行为的DLTS研究 | |
| 引用本文： | 鲍桂珍,刘全民.发光二极管电子辐照后缺陷行为的DLTS研究[J].半导体技术,1991(4):52-56. |
| 作者姓名： | 鲍桂珍 刘全民 |
| 作者单位： | 机电部46所，机电部46所，机电部46所，天津技术物理所，天津技术物理所 300192 天津，300192 天津，300192 天津 |
| 摘 要： | 采用DLTS(深能级瞬态谱)与光功率测量方法,研究了发光二极管(GaP:N)经1MeV电子辐照后,其输出光功率的变化情况。实验发现,只在近乎不发光处于失效状态的二极管中进行DLTS测量时,才观察到深能级,数量不少于五个(E_1～E_5),这些深能级在热处理中的变化行为是:浓度随退火温度升高和退火时间延长而降低,500k退火后,除E_5能级外,其余深能级基本消失。另外还发现在正向注入电流的情况下,E_1和E_4能级均很快消失。 |
| 关 键 词： | 发光二析管 电辐照 缺陷 DLTS |
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